BAR 81W H6327

BAR 81W H6327概述

INFINEON  BAR 81W H6327  二极管, 射频/PIN, 单, 1 ohm, 30 V, SOT-343, 4引脚, 0.9 pF

The is a Silicon RF Switching Diode with shunt-diode configuration. It is designed for use in shunt configuration in high performance RF switches.

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High shunt signal isolation
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Low shunt insertion loss
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Optimized for short - open transformation using λ/4 lines
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-55 to 125°C Operating temperature range
BAR 81W H6327数据文档
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BAR 81W H6327

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BAR 63-04 E6327

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BAR 63-05W E6327

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