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Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -240V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.15A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 10Ω @-150mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.8V 耗散功率PdPower Dissipation| 1W Description & Applications| SIPMOS Small-Signal Transistor • P channel • Enhancement mode • Logic Level • VGSth = -0.8...-2.0 V 描述与应用| SIPMOS®小信号 •P沟道 •增强模式 •逻辑电平 •VGS（TH）=-0.8-2.0 V