IHW30N110R3FKSA1

IHW30N110R3 系列 1100 V 30 A 通孔 反向传导 IGBT-PG-TO247-3

TrenchStop IGBT ，电压 1100 至 1600V

一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。

• 集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V

• 极低 VCEsat

• 低关闭损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最高接点温度 175°C

得捷:
IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3

欧时:
Infineon IHW30N110R3FKSA1 N沟道 IGBT, Vce=1100 V, 60 A, 3引脚 TO-247封装

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.1KV 60A 3-Pin3+Tab TO-247

TME:
Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Newark:
IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3