RF PIN二极管 - 单SOT-323描述特点是一个非常低的反向电容PIN二极管BAR63V-03W设计的RF信号调整。由于正向偏置电流的函数的正向电阻(射频)可以调整到小于1Ω而低反向电容提供了一个高隔离。这个P..
反向电压VRReverse Voltage| 50V \---|--- 平均正向整流电流IFForward CurrentIf| 100mA/0.1A 二极管电容值CTDiode capacitance| 0.23pF 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| RF PIN Diode - Single in SOT-323 Description Characterized by a very low reverse Capacitance the PIN Diode BAR63V-03W was designed for RF signal tuning. As a function of the forward bias current the forward resistance rf can be adjusted to less than 1 Ω while the low reverse capacitance offers a high isolation. Typical applications for this PIN Diodes are wireless, mobile and TV-systems. Features • Low forward resistance • Very small reverse capacitance • Lead Pb-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC Applications For frequency up to 3 GHz RF-signal tuning Mobile, wireless and TV-Applications Mechanical Data 描述与应用| RF PIN二极管 - 单SOT-323 描述 特点是一个非常低的反向电容 PIN二极管BAR63V-03W设计的RF信号 调整。由于正向偏置电流的函数 的正向电阻(射频)可以调整到小于 1Ω而低反向电容提供了一个高 隔离。这个PIN二极管的典型应用 无线,移动和电视系统。 特点 •低正向电阻 •非常小的反向电容 •铅(Pb)免费组件 •组件按照RoHS 2002/95/EC 和WEEE 2002/96/EC 应用 对于频率高达3 GHz RF信号调谐 移动,无线和电视应用 机械数据
型号 | 品牌 | 下载 |
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BAR63V-04W | VISHAY 威世 | 下载 |
BAR6303WE6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BAR65-03WE6327 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BAR6302VH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BAR6402VH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BAR6702VH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BAR6403WE6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BAR6404E6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BAR6305E6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BAR6304E6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BAR6406WH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |