BAR63V-04W

BAR63V-04W概述

RF PIN二极管 - 单SOT-323描述特点是一个非常低的反向电容PIN二极管BAR63V-03W设计的RF信号调整。由于正向偏置电流的函数的正向电阻(射频)可以调整到小于1Ω而低反向电容提供了一个高隔离。这个P..

反向电压VRReverse Voltage| 50V \---|--- 平均正向整流电流IFForward CurrentIf| 100mA/0.1A 二极管电容值CTDiode capacitance| 0.23pF 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| RF PIN Diode - Single in SOT-323 Description Characterized by a very low reverse Capacitance the PIN Diode BAR63V-03W was designed for RF signal tuning. As a function of the forward bias current the forward resistance rf can be adjusted to less than 1 Ω while the low reverse capacitance offers a high isolation. Typical applications for this PIN Diodes are wireless, mobile and TV-systems. Features • Low forward resistance • Very small reverse capacitance • Lead Pb-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC Applications For frequency up to 3 GHz RF-signal tuning Mobile, wireless and TV-Applications Mechanical Data 描述与应用| RF PIN二极管 - 单SOT-323 描述 特点是一个非常低的反向电容 PIN二极管BAR63V-03W设计的RF信号 调整。由于正向偏置电流的函数 的正向电阻(射频)可以调整到小于 1Ω而低反向电容提供了一个高 隔离。这个PIN二极管的典型应用 无线,移动和电视系统。 特点  •低正向电阻  •非常小的反向电容  •铅(Pb)免费组件  •组件按照RoHS 2002/95/EC 和WEEE 2002/96/EC 应用 对于频率高达3 GHz RF信号调谐 移动,无线和电视应用 机械数据

BAR63V-04W数据文档
型号 品牌 下载
BAR63V-04W

VISHAY 威世

下载
BAR6303WE6327HTSA1

Infineon 英飞凌

下载
BAR65-03WE6327

Infineon 英飞凌

下载
BAR6302VH6327XTSA1

Infineon 英飞凌

下载
BAR6402VH6327XTSA1

Infineon 英飞凌

下载
BAR6702VH6327XTSA1

Infineon 英飞凌

下载
BAR6403WE6327HTSA1

Infineon 英飞凌

下载
BAR6404E6327HTSA1

Infineon 英飞凌

下载
BAR6305E6327HTSA1

Infineon 英飞凌

下载
BAR6304E6327HTSA1

Infineon 英飞凌

下载
BAR6406WH6327XTSA1

Infineon 英飞凌

下载

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台