FGH40N60UFTU

FGH40N60UFTU概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH40N60UFTU  单晶体管, IGBT, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚

分离式 IGBT, Semiconductor


得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO


欧时:
### 分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


贸泽:
IGBT Transistors 600V 40A Field Stop


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin3+Tab TO-247AB Tube


富昌:
FGH40N60UF 系列 600 V 80 A 法兰安装 场截止 IGBT - TO-247-3


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin3+Tab TO-247AB Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin3+Tab TO-247AB Rail


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH40N60UFTU  IGBT Single Transistor, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins


Win Source:
IGBT 600V 80A 290W TO247


DeviceMart:
IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247


FGH40N60UFTU数据文档
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