PXAC261002FCV1XWSA1

PXAC261002FCV1XWSA1概述

Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin Case H-37248 Tray

Summary of Features:

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Broadband internal input and output matching
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Asymmetric Doherty design

\- Main: P1dB = 40 W Typ

\- Peak: P1dB = 70 W Typ

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Typical Pulsed CW performance, 2590 MHz, 26 V, 160 μs, 10% duty cycle, Doherty Configuration

\- Output power at P3dB = 85 W

\- Efficiency = 56%

\- Gain = 14.7 dB

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Capable of handling 10:1 VSWR @28 V, 100 W CW output power
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Integrated ESD protection : Human Body Model, Class 1C per JESD22-A114
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Low thermal resistance
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Pb-free and RoHS compliant
PXAC261002FCV1XWSA1数据文档
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