Infineon OptiMOS P 系列 双 Si P沟道 MOSFET BSL308PEH6327XTSA1, 2 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 双 Si P沟道 MOSFET BSL308PEH6327XTSA1, 2 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, P沟道, 30 V, 2 A, 0.062 ohm, TSOP, 表面安装
艾睿:
Thanks to Infineon Technologies, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the BSL308PEH6327XTSA1 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 500 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes optimos technology.
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 6-Pin TSOP T/R
Win Source:
MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
型号 | 品牌 | 下载 |
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BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSL316CH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSL314PEH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSL306NH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSL302SNH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSL308CH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSL305SPEH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSL307SPH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSL316CL6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSL303SPEH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSL307SPT | Infineon 英飞凌 | 下载 |