先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
Advanced Power MOSFET
FEATURES
♦Logic-Level Gate Drive
♦Avalanche Rugged Technology
♦Rugged Gate Oxide Technology
♦Lower Input Capacitance
♦Improved Gate Charge
♦Extended Safe Operating Area
♦Lower Leakage Current: 10µA Max. @ VDS= 100V
♦Lower RDSON: 0.336ΩTyp.
立创商城:
N沟道 200V 4.1A
贸泽:
MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 4.1A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| IRLS620A | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| IRLS640A | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| IRLS510A | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| IRLS630A | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| IRLS3813TRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRLS3036TRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRLS3036PBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRLS3034PBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRLS4030TRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
| IRLSL4030PBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
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