R1LV0108ESN-5SI#B0

R1LV0108ESN-5SI#B0概述

SRAM,R1LV 系列,Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力 ### SRAM(静态随机存取存储器)

低功率 SRAM,R1LV 系列,

R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。

单 2.7V 至 3.6V 电源

小待机电流

无时钟、无需刷新

所有输入和输出均兼容 TTL

三态输出:OR-tie 能力


得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP


欧时:
### 低功率 SRAM,R1LV 系列,Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力 ### SRAM(静态随机存取存储器)


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32-Pin SOP Tube


安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128KWord x 8 55ns 32-Pin SOP Tube


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 1M-bit 128K x 8 55ns 32-Pin SOP Tube


Verical:
SRAM Chip Async Single 3V 1M-bit 128K x 8 55ns 32-Pin SOP Tray


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