IKW40N60H3FKSA1数据手册PDF_IKW40N60H3FKSA1中文资料-锐单商城

IKW40N60H3FKSA1概述

Infineon IKW40N60H3FKSA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 80 A, 3引脚 TO-247封装

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

极低的 VCEsat

低断开损耗

短尾线电流

低 EMI

最大接点温度为 175°C

欧时:
Infineon IKW40N60H3FKSA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 80 A, 3引脚 TO-247封装

得捷:
IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin3+Tab TO-247

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

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