PD20010S-E

PD20010S-E概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 POWER R.F.

RF Mosfet LDMOS 13.6 V 150 mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF Straight Lead


得捷:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 POWER R.F.


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF Straight lead Tube


DeviceMart:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF


PD20010S-E数据文档
型号 品牌 下载
PD20010S-E

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