STGW60V60F

IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立，STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

得捷:
IGBT 600V 80A 375W TO247

欧时:
### IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

立创商城:
STGW60V60F

贸泽:
IGBT 晶体管 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT

艾睿:
The STGW60V60F IGBT transistor from STMicroelectronics is perfect to use as an electronic switch eliminating the current at the gate. Its maximum power dissipation is 375000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-PIn TO-247 Tube

富昌:
STGW60V60F 系列 600 V 60 A 高速 沟槽栅 场截止 IGBT - TO-247

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube