12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.8x1.5、19mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150
这种 12V、15mΩ、N 沟道 FemtoFETMOSFET 技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
RθJA = 245°C/W(覆铜面积最小时的典型值)。RθJA = 90°C/W(覆铜面积最大时的典型值)。脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。
## 应用范围
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型号 | 品牌 | 下载 |
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