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IRF520PBF概述

VISHAY IRF520PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 100 V, 270 mohm, 10 V, 4 V

The is a 100V N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The low thermal resistance contributes to its wide acceptance throughout the industry.

.: Dynamic dv/dt rating

.: Repetitive avalanche rated

.: Fast switching

.: Ease of paralleling

.: Simple drive requirements

.: ±20V Gate to source voltage

.: 2.5°C/W Thermal resistance, junction to case

.: 62°C/W Thermal resistance, junction to ambient

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