低功率 SRAM，RMLV 系列，Renesas ElectronicsRMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗，还提供低功率待机功耗。单 2.7V 至 3.6V 电源 存取时间：45ns（最大值） 相等存取和循环时间 常见数据输入和输出，带三态输出 所有输入和输出均兼容 TTL 适合于电池备份操作 ### SRAM（静态随机存取存储器）
低功率 SRAM，RMLV 系列，
RMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗，还提供低功率待机功耗。
单 2.7V 至 3.6V 电源
存取时间：45ns（最大值）
相等存取和循环时间
常见数据输入和输出，带三态输出
所有输入和输出均兼容 TTL
适合于电池备份操作
得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
欧时:
Renesas Electronics RMLV0408EGSB-4S2#AA0, 4Mbit SRAM 内存, 512K x 8 位, 1MHz, 32针 TSOP封装
艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 4M-bit 512K x 8 45ns 32-Pin TSOP-II Tray
安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512KWord x 8 45ns 32-Pin TSOP Tray
Verical:
SRAM Chip Async Single 3V/3.3V 4M-bit 512K x 8 45ns 32-Pin TSOP-II Tray
儒卓力:
**SRAM 512Kx8 45ns TSOP32 **
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| RMLV0408EGSB-4S2#AA0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
| RMLV0416EGSB-4S2#AA0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
| RMLV0408EGSA-4S2#AA0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
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| RMLV0414EGSB-4S2#AA0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
| RMLV0408EGSB-4S2#HA0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
| RMLV0408EGSP-4S2#HA0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
| RMLV0416EGBG-4S2#AC0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
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| RMLV0416EGBG-4S2#KC0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
| RMLV0408EGSP-4S2#CA0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |