新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
表面贴装型 N 通道 650 V 300mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
得捷:
MOSFET N-CH 650V 300MA SOT223-4
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 300mA SOT-223-3
Win Source:
Cool MOS Power Transistor
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| SPN01N60C3 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| SPN02SVBN-RC | Sullins | 下载 |
| SPN02SXCN-RC | Sullins | 下载 |
| SPN02SVEN-RC | Sullins | 下载 |
| SPN02SYBN-RC | Sullins | 下载 |
| SPN02SYBN | Sullins | 下载 |
| SPN03N60S5 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| SPN02N60C3 E6433 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| SPN03N60C3 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| SPN02N60S5 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| SPN02N60C3 | Infineon 英飞凌 | 下载 |