FDMC15N06

UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

UltraFET® MOSFET， Semiconductor

UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。

应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。

欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC15N06, 15 A, Vds=55 V, 8引脚 Power 33封装

得捷:
MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP

贸泽:
MOSFET UltraFET 55V, 15A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 2.4A 8-Pin Power 33 T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 2.4A 8-Pin Power 33 T/R

DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP