DRV5012AEDMRT

DRV5012AEDMRT概述

低功耗(低至 3.3μA)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器 4-X2SON -40 to 85

数字开关 卡销 推挽式 霍尔效应 4-X2SON(1.1x1.4)


得捷:
ULTRA-LOW POWER DIGITAL-LATCH HA


立创商城:
数字锁存霍尔效应传感器


德州仪器TI:
Low power as low as 3.3-µA, low voltage up to 5.5-V Hall effect latch


艾睿:
Hall Effect Sensor 5mA Latch 1.8V/2.5V/3.3V/5V 4-Pin X2SON EP T/R


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DRV5012AEDMRT

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