MTM86227

MTM86227 N沟道MOSFET 20V 2.2A SOT-563/ES6 marking/标记 JF 高速开关/低导通电阻

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.105Ω/Ohm @4A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.4-1.3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 540mW/0.54W Description & Applications| • Avalanche Energy Specified • Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode • Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits • IDSS and VDSon Specified at Elevated Temperature • Replaces MTD6N10 描述与应用| •雪崩能量 •源漏二极管恢复时间等同于 离散快速恢复二极管 •二极管的特点是桥电路中使用 •IDSS和VDS（上） 指定高温 •替换MTD6N10