PTFB091802FCV1R0XTMA1数据手册PDF_PTFB091802FCV1R0XTMA1中文资料-锐单商城

PTFB091802FCV1R0XTMA1概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管

Summary of Features:

.: Broadband internal input and output matching

.: Dual path design 2 X 90 W

.: Typical CW performance at 960 MHz, 28 V

\- Ouput power @ P1dB = 206 W

\- Efficiency = 56%

\- Gain = 18 dB

.: Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 180 W CW output power

.: Integrated ESD protection

.: Low thermal resistance

.: Pb-free and RoHS-compliant

PTFB091802FCV1R0XTMA1详细参数

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