IPB083N10N3 G

IPB083N10N3 G概述

INFINEON  IPB083N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.7 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


欧时:
### Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab TO-263


儒卓力:
**N-CH 100V 80A 8mOhm TO263-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3


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