小信号P沟道SOT23封装场效应管
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.13A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 5Ω @-100mA,-5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.9--2.V 耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| • Energy Efficient • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Package is Available 描述与应用| •节能 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 •无铅包装是可用
得捷:
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
贸泽:
MOSFET 50V 130mA P-Channel
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
力源芯城:
小信号P沟道SOT23封装场效应管
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BSS84LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BSS84 | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| BSS84PL6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BSS83,235 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSS83PH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BSS84LT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BSS84PL6433HTMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BSS806NEH6327XTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BSS806NL6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| BSS84AKT,115 | NXP 恩智浦 | 下载 |