STGW30H60DFB

IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立，STMicroelectronics

### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

欧时:
STMicroelectronics STGW30H60DFB N沟道 IGBT, Vce=600 V, 60 A, 3引脚 TO-247封装

得捷:
IGBT 600V 60A 260W TO247

贸泽:
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-247 Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

儒卓力:
**IGBT 600V 30A 1,75V TO247 **

力源芯城:
600V,30A,HB系列,高速沟槽型场截止IGBT

Win Source:
IGBT 600V 60A 260W TO247