IXYN100N120C3H1

IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCEsat 方形反向偏置安全工作区域 RBSOA 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列

IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。

高功率密度和低 VCEsat

方形反向偏置安全工作区域 RBSOA 高达额定击穿电压

短路容量，确保 10usec

正向通态电压温度系数

可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管

国际标准和专有高电压封装

欧时:
IXYS IXYN100N120C3H1 N沟道 IGBT, 134 A, Vce=1200 V, 20 → 50kHz, 4引脚 SOT-227B封装

得捷:
IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B

贸泽:
IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT

e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 134 A, 3.5 V, 690 W, 1.2 kV, SOT-227B

艾睿:
Don&s;t be afraid to step up the amps in your device when using this IXYN100N120C3H1 IGBT transistor from Ixys Corporation. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. Its maximum power dissipation is 690000 mW. It is made in a single dual emitter configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 134A 690000mW 4-Pin SOT-227B

Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXYN100N120C3H1  IGBT, N-CH, 1.2KV, 134A, SOT-227B New