BC856BW
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −65V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 125~475 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP general purpose transistors FEATURES • Low current max. 100 mA • Low voltage max. 65 V. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 描述与应用| PNP通用 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大65 V）。 应用 •通用开关和放大。
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BC856BW | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC856ALT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC857BLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC857BDW1T1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC856BLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC857C | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC858CLT1G | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| BC857BS | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC857B,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC858B,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BC857BW | NXP 恩智浦 | 下载 |