RK3055E

RK3055E概述

10V驱动N沟道MOS FET 10V Drive Nch MOS FET

Features

1 Low on-resistance.

2 Fast switching speed.

3 Wide SOA safe operating area.

4 Low-voltage drive.

5 Easily designed drive circuits.

6 Easy to use in parallel.

Structure

Silicon N-channel MOSFET


RK3055E数据文档
型号 品牌 下载
RK3055E

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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RK3055ETL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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