IPB090N06N3GATMA1

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB090N06N3GATMA1, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS

优化技术，用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道，逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀

得捷:
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB090N06N3GATMA1, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

艾睿:
This IPB090N06N3GATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 71000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin TO-263 T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO263-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R