ESBC™ 功率晶体管，Fairchild Semiconductor 双极 NPN 功率晶体管专为用于 ESBC™（发射器开关双极/MOSFET 共源栅极）以及适宜的功率 MOSFET 设备而设计。 此电源开关配置由于在设计中未采用 Miller 电容，因此提升了效率、灵活性和稳健性，并且最大限度地降低了驱动功率。 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Bipolar BJT Transistor NPN 800 V 5 A 15MHz 120 W Through Hole TO-220-3
得捷:
TRANS NPN 800V 5A TO220-3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 800V 5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans GP BJT NPN 800V 5A 120000mW 3-Pin3+Tab TO-220 Rail