2N7002DW-7-F

双N沟道增强型场效应晶体管小信号晶体管特点双N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容开关速度快吗低输入/输出漏超小型表面贴装封装

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| 115mA/0.115A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 3.2Ω@ VGS = 5.0V, ID = 0.05A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 1~2V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small-Signal-Transistor Features Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package 描述与应用| 双N沟道增强型场效应 小信号晶体管 特点 双N沟道MOSFET 低导通电阻 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快吗 低输入/输出漏 超小型表面贴装封装