SST26WF040B/080B/016B 串行四路输入/输出 SQI SuperFlash® 闪存Microchip SST26WFxxxB 系列产品是串行四路输入/输出 SQI 闪存设备,提供 4、8 和 16 位型号。 这些设备支持与串行外围接口 SPI 协议的全命令集兼容型,并且实现最小延迟 Execute-in-Place XIP 功能,SRAM 上无需代码阴影。 SST26WFxxxB 设备具有低功耗,使其适用于便携式蓄电池供电的应用。### 特点工作电压范围 1.6 至 1.95V 最大时钟频率 104 MHz 串行接口体系结构 低功耗:有源读取电流:15 mA(104 MHz 时典型),待机电流:10 μA(典型) 脉冲串模式:连续线性脉冲串,8/16/32/64 字节线性脉冲串,带坏绕。 页面编程:每页 256 字节,采用 x1 或 x4 模式 快速擦除时间:扇形/块擦除 18 ms(典型)、25 ms(最大);芯片擦除 35 ms(典型)、50 ms(最大) 灵活的擦除能力 End-of-Write 检测 Write-Suspend 软件保护 软件重置 RST 模式 SFDP(串行闪存可发现参数) ### 闪存,Microchip
SST26WF040B/080B/016B 串行四路输入/输出 SQI SuperFlash® 闪存
SST26WFxxxB 系列产品是串行四路输入/输出 SQI 闪存设备,提供 4、8 和 16 位型号。 这些设备支持与串行外围接口 SPI 协议的全命令集兼容型,并且实现最小延迟 Execute-in-Place XIP 功能,SRAM 上无需代码阴影。 SST26WFxxxB 设备具有低功耗,使其适用于便携式蓄电池供电的应用。
### 特点
工作电压范围 1.6 至 1.95V
最大时钟频率 104 MHz
串行接口体系结构
低功耗:有源读取电流:15 mA(104 MHz 时典型),待机电流:10 μA(典型)
脉冲串模式:连续线性脉冲串,8/16/32/64 字节线性脉冲串,带坏绕。
页面编程:每页 256 字节,采用 x1 或 x4 模式
快速擦除时间:扇形/块擦除 18 ms(典型)、25 ms(最大);芯片擦除 35 ms(典型)、50 ms(最大)
灵活的擦除能力
End-of-Write 检测
Write-Suspend
软件保护
软件重置 RST 模式
SFDP(串行闪存可发现参数)
### 闪存,Microchip
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SST26WF016BA-104I/SN | Microchip 微芯 | 下载 |
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