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SIA910EDJ-T1-GE3概述

VISHAY SIA910EDJ-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 12 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switch for portable and high frequency DC-to-DC converter applications.

.: Halogen-free

.: TrenchFET® power MOSFET

.: Thermally enhanced PowerPAK® package

.: Small footprint

.: Low ON-resistance

.: Typical ESD protection

.: 100% Rg tested

SIA910EDJ-T1-GE3详细参数

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