FQB5N90TM

QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。

QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A， Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。

它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。

欧时:
### QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

富昌:
FQB5N90TM 系列 900 V 2.3 Ohm N 沟道 增强型 功率 MOSFET-D2PAK-3

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB5N90TM  Power MOSFET, N Channel, 5.4 A, 900 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V

Win Source:
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK

DeviceMart:
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK