2SJ168 P沟道MOS场效应管 -60V -200mA 1.3ohm SOT-23 marking/标记 KF 高速开关 模拟开关 接口应用
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -200mA/-0.2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.3Ω @-50mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -2--3.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE HIGH SPEED SWITHCING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS INTERFACE APPLICATIONS Excellent Switching Time High Forward Transfer Admittance Low On Resistance Enhancement-Mode Complementary to 2SK1062 描述与应用| 场效应晶体管的硅P沟道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 接口应用 出色的开关时间 高正向转移导纳 低导通电阻 增强型 对管是2SK1062
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| 2SJ168 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SJ162-E | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
| 2SJ162 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
| 2SJ168TE85LF | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SJ133-Z-E1-AZ | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
| 2SJ168TE85L,F | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SJ128-AZ | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
| 2SJ106 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 2SJ130L-E | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 下载 |
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| 2SJ148 | Toshiba 东芝 | 下载 |