FMG11A

发射器通用（双数字晶体管） Emitter common dual digital transistors

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V

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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V

集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA

Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 2.2KΩ/Ohm

Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm

Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio| 0.047

Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 2.2KΩ/Ohm

Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm

Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio| 0.047

直流电流增益hFE DC Current GainhFE|

截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz

耗散功率Pc Power Dissipation| 300mW/0.3W

Description & Applications| Features •Emitter commondual digital transistors •Two DTA123Js chips in a EMT or UMT or SMT package.

描述与应用| 特点 •发射极普通的（双数字） •两个DTA123Js的在EMT或UMT或SMT封装的芯片