FQI4N80TU

QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 800 V 3.9A Tc 3.13W Ta, 130W Tc Through Hole I2PAK TO-262

得捷:
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube

富昌:
FQI4N80 系列 800 V 3.6 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - I2PAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin3+Tab I2PAK Rail