2SD2195 达林顿 NPN Vcbo=100v Vceo=100v Ic=2A HEF=1000~10000 SOT-89 标记/MARKING DP
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 100v \---|--- 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 2A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 1000~10000 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5V 耗散功率Pc Power Dissipation | 2W 描述与应用 Description & Applications | 功率100 v,2 特性 1达灵顿连接直流电流增益高。 2内置基地和发射极之间的电阻。 3内置阻尼二极管 技术文档PDF下载 | 在线阅读
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