INFINEON BSC080P03LS G 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -30A, TDSON-8
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
型号 | 品牌 | 下载 |
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BSC080P03LS G | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC067N06LS3G | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC028N06NSATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC010NE2LSIATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC0909NSATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC059N04LSGATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC080N03LSGATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC0904NSIATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC050NE2LSATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC090N03MSGATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |