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TC58BVG0S3HBAI4概述

BENAND™ SLC NAND 闪存，内置 ECC，ToshibaBENAND™ 是 SLC （单层单元）NAND 闪存，内置 ECC（错误校正码）。### BENAND™ SLC NAND 闪存

BENAND™ SLC NAND 闪存，内置 ECC，

BENAND™ 是 SLC （单层单元）NAND 闪存，内置 ECC（错误校正码）。

得捷:
IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

欧时:
Toshiba TC58BVG0S3HBAI4 1Gbit NAND 闪存, 2048 x 8 位, 120μs, 2.7 → 3.6 V, -40 → +85 °C, 63引脚

贸泽:
NAND闪存 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND EEPROM

艾睿:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1G-bit 63-Pin FBGA

安富利:
1Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=2.7 to 3.6V

Verical:
SLC NAND Flash 3.3V 1G-bit 63-Pin BGA

儒卓力:
**BENAND-Flash 128Mx8 3.3V BGA63 **

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