EMH1

EMH1 NPN+NPN复合带阻尼三极管 40V 30mA 150mW/0.15W SOT-563/EMT6 标记H1 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 30mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 22KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 22KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio| 1 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 22KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 22KΩ/Ohm Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Features •General purpose dual digital transistors •Two DTC124E chips in a EMT or UMT or SMT package 描述与应用| 特点 •通用（双数字晶体管） •两个DTC124E在EMT或UMT或SMT封装的芯片