30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路共漏极 SON3x3、5.5mΩ 8-WSON -55 to 150
The is a 30-V common drain, dual N-channel device designed for USB Type-C/PD and battery protection. This SON 3.3-mm × 3.3-mm device has low-source-to-source on resistance that minimizes losses and offers low-component count for space constrained applications.
得捷:
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
立创商城:
CSD87313DMS
德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual common drain SON 3 mm x 3 mm, 5.5 mOhm
贸泽:
MOSFET 30V, N ch NexFET MOSFETG , dual common drain SON3x3, 5.5mOhm 8-WSON -55 to 150
艾睿:
High Frequency Synchronous Power Module
Verical:
High Frequency Synchronous Power Module
型号 | 品牌 | 下载 |
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CSD87313DMS | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD86350Q5DEVM-604 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD86330EVM-717 | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD86330Q3D | TI 德州仪器 | 下载 |
CSD87588NEVM-603 | TI 德州仪器 | 下载 |
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