1SMA70AT3G

1SMA70AT3G概述

400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

极性Polarization | 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage | 70V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage | 81.9V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation | 400W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current | 3.5A 额定耗散功率PdPower dissipation | 1.5VW Description & Applications | 400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors;Specification Features • Working Peak Reverse Voltage Range − 10 V to 78 V • Standard Zener Breakdown Voltage Range − 11.7 V to 91.3 V • Peak Power − 400 Watts @ 1 ms • ESD Rating of Class 3 > 16 kV per Human Body Model • Response Time is Typically < 1 ns • Flat Handling Surface for Accurate Placement • Package Design for Top Slide or Bottom Circuit Board Mounting • Low Profile Package • Pb−Free Packages are Available 描述与应用 | 400瓦峰值功率稳压 瞬态电压 抑制器;规格特性 •工作峰值反向电压范围 - 10 V至78 V •标准齐纳击穿电压范围 - 11.7 V至91.3 V •峰值电力 - 400瓦@1ms •每人体模型ESD额定值的3类(>16千伏) •响应时间通常小于1 ns •精确放置的平面处理表面 •滑动顶部或底部的电路板安装的包装设计 •薄型封装 •无铅包可用

1SMA70AT3G数据文档
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