IGW75N60T

INFINEON  IGW75N60T  单晶体管, IGBT, 75 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

立创商城:
IGW75N60T

得捷:
IGBT 600V 150A 428W TO247-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 3-Pin TO-247 Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 3-Pin 3+Tab TO-247

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 428000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

儒卓力:
**IGBT 600V 150A 1.5V TO247-3 **

罗切斯特:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 3-Pin3+Tab TO-247

Win Source:
IGBT 600V 150A 428W TO247-3