N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
此器件设计用于在 超低高度并具有出色散热特性的 尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通 电阻和栅极电荷。
在 1 in22 盎司纯铜 Cu 2 oz. 且厚度为 0.060" 的环氧板 FR4 印刷电路板 PCB 上，RθJA=105°C/W （典型值）。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| CSD13201W10 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD16301Q2 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD17308Q3 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD163CEVM-591 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD17483F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD13381F4T | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD17483F4T | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD13381F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD13383F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD17381F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD17484F4 | TI 德州仪器 | 下载 |