IXFB82N60Q3

IXFB82N60Q3概述

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列

HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。

快速本质整流器二极管

低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)

低本质栅极电阻

工业标准封装

低封装电感

高功率密度


得捷:
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264


欧时:
MOSFET N-Ch 600V 82A Q3 HiPerFET PLUS264


贸泽:
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin3+Tab PLUS 264


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 82A; 1560W; PLUS264; 300ns


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264


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IXFB82N60Q3

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IXFB132N50P3

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IXFB210N30P3

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IXFB52N90P

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IXFB110N60P3

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IXFB30N120P

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IXFB120N50P2

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IXFB38N100Q2

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