FDFME2P823ZT

P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管，Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管， Semiconductor

设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关

独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗

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P沟道 20V 2.6A

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Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDFME2P823ZT, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装

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