N-沟道增强型MOSFET低导通电阻•低栅极阈值电压•低输入电容•开关速度快•低输入/输出漏•铅，卤素和无锑，符合RoHS标准的“绿色”设备（附注1及2）
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 250mA/0.25A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-3.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant "Green" Device Notes 1 & 2 描述与应用| N-沟道增强型MOSFET 低导通电阻 •低栅极阈值电压 •低输入电容 •开关速度快 •低输入/输出漏 •铅，卤素和无锑，符合RoHS标准的“绿色” 设备（附注1及2）