单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
IPP200N15N3 G是一款150V N沟道功率MOSFET, RDS 导通降低了40％, 品质因数 FOM降低了45％。OptiMOS™ MOSFET具有很高的系统效率和业界最低的RDS 导通。非常适合高频开关应用和DC-DC转换器应用。
IPP200N15N3 G, SP000680884
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| IPP230N06L3GXKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| IPP200N15N3GHKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| IPP26CN10NGXKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| IPP26CN10NGHKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| IPP260N06N3GXKSA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| IPP200N25N3 G | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| IPP200N15N3 G | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| IPP26CN10N G | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| IPP220N25NFD | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| IPP230N06L3 G | Infineon 英飞凌 | 下载 |