BSM120D12P2C005

BSM120D12P2C005概述

ROHM  BSM120D12P2C005  单晶体管 双极, N沟道, 120 A, 1.2 kV, 2.7 V

The is a N-channel SiC Power Module designed for use with inverter, converter, photovoltaic, wind power generation and induction heating equipment applications. The device offers low surge, low switching loss and high-speed switching possible, reduced temperature dependence.


得捷:
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE


欧时:
SiC MOSFET Half Bridge Pwr Mod +SBD 120A


贸泽:
分立半导体模块 Mod: 1200V 120A w/ Diode


e络盟:
碳化硅双极BJT单晶体管, N沟道, 120 A, 1.2 kV, 2.7 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 134A 10-Pin


安富利:
Trans SiC MOSFET N-CH 1.2KV 120A 10-Pin Case C Tray


儒卓力:
**SiC Power Module 120A 1200V **


BSM120D12P2C005数据文档
型号 品牌 下载
BSM120D12P2C005

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

下载
BSM100GB120DLCK

Infineon 英飞凌

下载
BSM100GB170DLC

Infineon 英飞凌

下载
BSM100GD120DN2

Infineon 英飞凌

下载
BSM150GB170DLC

Infineon 英飞凌

下载
BSM150GB120DLC

Infineon 英飞凌

下载
BSM100GB120DN2K

Infineon 英飞凌

下载
BSM15GD120DLCE3224

Infineon 英飞凌

下载
BSM150GB60DLCHOSA1

Infineon 英飞凌

下载
BSM10GD120DN2

Infineon 英飞凌

下载
BSM10GD120DN2E3224

Infineon 英飞凌

下载

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台