2N7000-G
场效应管(MOSFET) 2N7000-G TO-92-3
品牌：美国微芯(MICROCHIP)
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
自营
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DigiKey
Mouser
艾睿
2N7000-G
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
2N7000-G
场效应管, MOSFET, N沟é“, 60V, 0.2A, TO-92
品牌：MICROCHIP
库存：0
货期： 7~10工作日
2N7000-G
Days to ship 10
品牌：MICROCHIP
库存：0
货期： 7~10工作日
2N7000-G
Days to ship 3
品牌：MICROCHIP
库存：0
货期： 7~10工作日
2N7000-G
MOSFET, N-CH, 60V, 0.2A, TO-92
品牌：MICROCHIP
库存：0
货期： 7~10工作日
2N7000-G
MOSFET Transistor - N Channel - 200 mA - 60 V - 5 Ohm - TO-92-3.
品牌：MICROCHIP
库存：0
货期： 7~10工作日
2N7000-G
Microchip N沟道增强型MOS管 2N7000系列, Vds=60 V, 200 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
品牌：MICROCHIP
库存：0
货期： 7~10工作日
2N7000-G
Microchip N沟道增强型MOS管 2N7000系列, Vds=60 V, 200 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
品牌：MICROCHIP
库存：0
货期： 7~10工作日
2N7000-G
Microchip N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 200 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, 2N7000-G
品牌：MICROCHIP
库存：0
货期： 7~10工作日
2N7000-G
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Microchip Technology |
| 包装: | 袋 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 200mA（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 5 欧姆 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 60 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-92-3 |
| 封装/外壳: | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00