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2SD2012
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2SD2012
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | STMicroelectronics |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| 晶体管类型: | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 3 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 60 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 1V 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 100µA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 100 500mA，5V |
| 功率 - 最大值: | 25 W |
| 频率 - 跃迁: | 3MHz |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 供应商器件封装: | TO-220F |
| 温度: | 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
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